GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, SIC, N-CH, 1.2KV, 11A, 74W; Available until stocks are exhausted
1200V 350mΩ TO-247-3 G3R™ SiC MOSFET
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
场效应管, MOSFET, SIC, N沟道, 1.2KV, 11A, 74W;
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1200V, 0.455ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 11A, 74W; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:74W Rohs Compliant: Yes |Genesic G3R350MT12D
Alias de fabricantes
GeneSiC Semiconductor tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. GeneSiC Semiconductor también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Resistance455 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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