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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP11NK50ZFP
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF13N50T suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 500V 12.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220F Rail
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 500V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 500V N-Channel QFET
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply, power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Current Rating12.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance430 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation56 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation56 W
Rds On Max430 mΩ
Rise Time140 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento