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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-01-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Componentes relacionados
VishaySI4830CDY-T1-GE3
Si4830CDY Series Dual N-Channel 30 V 20 mOhm 2.9 W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descripciones
Descripciones de onsemi FDS4885C suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:40V; Current, Id cont:7.5A; Resistance, Rds on:31mohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:4V; Case style:SOIC; Current, Id cont N RoHS Compliant: Yes
MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 7.5A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dis
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time71 ns
Fichas técnicas y documentos
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