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Modelos CAD
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-06-03
LTD Date2010-12-03
Componentes relacionados
InfineonIRF7473PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 22Milliohms;ID 6.9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
InfineonIRF7495PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 18Milliohms;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Descripciones
Descripciones de onsemi FDS3170N7 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-Pin FLMP SOIC T/R
100V, N-CHANNEL, POWER TRENCH MOSFET, SO8BL
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, SMD, FLMP, SO-8; Transistor Type:PowerTrench; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:6.7A; Resistance, Rds On:0.026ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.5V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:60A; No. of Pins:8; Power Dissipation:3mW; Voltage, Vds Max:100V
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Current Rating6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.714 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time49 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento