Diodes Inc. ZXTP25100BFHTA
$ 0.353
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | ZXTP25100BFHCT-ND | 6172 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXTP25100BFHTA | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXTP25100BFHTA | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXTP25100BFHTA | 0 | 10 | Bulk | 7h | |||||||
| Arrow Electronics | ZXTP25100BFHTA | 0 | 3K |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXTP2029FTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 3 A, 1.2 W, SOT-23, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXTP25100BFHTA suministradas por sus distribuidores.
Trans GP BJT PNP 100V 2A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R / TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
ZXTP25100BFH Series 100 V 2 A PNP SMT Medium Power Transistor - SOT-23-3
100V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage295 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation1.81 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento