Diodes Inc. ZXTP2012GTA
$ 0.439
Production
Precio y existencias
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Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXTP2012GTA | 574.000 | 1K | 2h | ||||||||
| Newark | ZXTP2012GTA | 240 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXTP2012GTA | 19.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXTP2012GTA | 122.000 | 1K | |||||||||
| TME | ZXTP2012GTA | 1006 | 1 | 13h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -28.31%
Modelos CAD
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXTP2012GTA suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
60V 3W 100@2A,1V 5.5A PNP SOT-223-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS
ZXTP2012G Series 60 V 5.5 A PNP Medium Power Low Saturation Transistor- SOT-223
PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 VCEO=60V VEBO=7V IC=5.5A
Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
250mV@ 500mA,5A PNP 3W 7V 20nA 100V 60V 5.5A SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.65mm
TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 120MHz; Power Dissipation Pd: 1.6W; DC Collector Current: 5A; DC Current Gain hFE: 250hFE; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 25mV; Current Ic Continuous a Max: 5A; Gain Bandwidth ft Typ: 120MHz; Hfe Min: 100; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device
Transistor, Pnp, 80V, 5A, 1.6W, Sot-223; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:80V; Frecuencia De Transición Ft:120Mhz; Disipación De Potencia Pd:1.6W; Corriente De Colector Dc:5A; Núm. De Contactos:4 |Diodes Inc. ZXTP2012GTA
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Tendencia de 3 meses: -28.31%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current-5.5 A
Current Rating-5.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current5.5 A
Max Frequency120 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Transition Frequency120 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento