Diodes Inc. ZXTN619MATA
$ 0.282
Production
Precio y existencias
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Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | ZXTN619MATA | 6 | 6 | |||||||||
| TME | ZXTN619MATA | 0 | 1 | 9h | ||||||||
| Newark | ZXTN619MATA | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | ZXTN619MATA | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | ZXTN619MATA | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Tendencia de 3 meses: -83.82%
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXTN620MATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXTN619MATA suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Surface Mount
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
50 V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
TRANS NPN 50V 4A 3-DFN / Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
ZXTN Series 50 V 4 A NPN Surface Mount Low Saturation Transistor - UDFN-3
320mV@ 200mA,4A NPN 2.45W 7V 25nA 100V 50V 4A DFN-2020B-3 2mm*2mm*600¦Ìm
General Purpose Transistors NPN Ic=4A Vceo=50V hfe=100 P=3W DFN2020B-3
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN EP
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage190 V
Collector Emitter Saturation Voltage270 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency165 MHz
Gain Bandwidth Product165 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current4 A
Max Frequency165 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency165 MHz
Dimensions
Height630 µm
Length2.08 mm
Width2.075 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento