Diodes Inc. ZXMP7A17KTC
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMP6A17KTC
P-Channel 60 V 125 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
Diodes Inc.ZXMN7A11KTC
ZXMN7A11K Series 70 V 0.13 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - DPAK
onsemiFDD24AN06LA0-F085
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, 40A, To252Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDD24AN06LA0-F085
InfineonIRFR5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMP7A17KTC suministradas por sus distribuidores.
ZXMP7A17K Series P-Channel 70 V 0.16 Ohm Power MOSFET Surface Mount - TO-252-3
Trans MOSFET P-CH 70V 3.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK
70 V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 70V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AEC-Q101, P CH, -70V, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.8A; Drain Source Voltage Vds:-70V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Current Rating-5.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-70 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)70 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance635 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation9.25 W
Min Breakdown Voltage70 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation9.25 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 mΩ
Rise Time3.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time27.9 ns
Turn-On Delay Time2.5 ns
Voltage Rating (DC)-70 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento