Diodes Inc. ZXMP3F30FHTA
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Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMP3F30FHTA suministradas por sus distribuidores.
P-Channel 30 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23-3
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
950mW(Ta) 20V 1V@ 250µA 7nC@ 10 V 1individualPChannel 30V 80mΩ@ 2.5A,10V 2.8A 370pF@15V SOT-23-3 SMD mount 2.9mm*1.3mm*1.03mm
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.8 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance370 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.96 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max80 mΩ
Rise Time2.6 ns
Temperature Coefficient25 ppm/°C
Tolerance0.1 %
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time1.3 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento