Diodes Inc. ZXMP10A17KTC
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMN10A11KTC
ZXMN10A11K Series N-Channel 100 V 0.35 Ohm Power MOSFET Surface Mount- TO-252-3
Diodes Inc.ZXMP10A16KTC
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 3 A, 235 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
InfineonIRFR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
InfineonIRFR9120NTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.6A;D-Pak (TO-252AA);PD 40W
InfineonIRFR9120NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.6A;D-Pak (TO-252AA);PD 40W
onsemiSFT1443-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMP10A17KTC suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, P-Ch, 100V, 2.4A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP10A17KTC
Trans MOSFET P-CH 100V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
场效应管, MOSFET, P沟道, 100V, 2.4A, TO-252;
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance424 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10.2 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max350 mΩ
Rise Time3.5 ns
Turn-Off Delay Time13.4 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.8 mm
Width6.2 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento