Diodes Inc. ZXMN6A09DN8TA
$ 0.944
Production
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN6A09DN8TA | 399 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXMN6A09DN8TA | 1000 | 500 | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN6A09DN8TA | 1000 | 500 | |||||||||
| DigiKey | ZXMN6A09DN8CT-ND | 4739 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | ZXMN6A09DN8TA | 0 | 500 | 21h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25 Series 60 V 0.5 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
VishaySI4946BEY-T1-GE3
SI4946BEY-T1-GE3 DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.5 A, 60 V, 8-PIN SOIC
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMN6A09DN8TA suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.6A 8-Pin SOIC T/R
ZXMN6A09 Series 60 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
2.1W 20V 3V@ 250¦ÌA 24.2nC@ 5V 2N 60V 40m¦¸@ 8.2A,10V 4.3A 1.407nF@40V SOIC-8 5mm*4mm*1.5mm
Mosfet Bvdss: 41V~60V So-8 T&r 0.5K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN6A09DN8TA
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Current Rating4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.407 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25.3 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento