Diodes Inc. ZXMN6A08KTC
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Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. ZXMN6A08KTC.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 60V DPAK
onsemiHUFA76409D3S
17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
InfineonIRFR024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMN6A08KTC suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 60V, 5.36A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN6A08KTC
Single N-Channel 60 V 0.15 Ohm 3.8 nC 8.94 mW Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 5.36A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 60V, 5.36A, TO-252;
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.36 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance459 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation8.94 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max80 mΩ
Rise Time2.1 ns
Turn-Off Delay Time12.3 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento