Diodes Inc. ZXMN6A08E6
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN6A08E6 | 3949 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | ZXMN6A08E6 | 3949 | 1 | Cut Tape | 8h | |||||||
| element14 APAC | ZXMN6A08E6 | 3949 | 1 | Cut Tape | 21h | |||||||
| UnikeyIC | ZXMN6A08E6 | 3887 | 23 | 7h | ||||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | ZXMN6A08E6 | 7671 | 1 | 8h |
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Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMN6A08E6 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A Automotive 6-Pin SOT-23
MOSFET, N, SOT-23-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd
MOSFET, N, SOT-23-6; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:3A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:4A; No. of Pins:6; Power, Pd:1.1W; Resistance, Rds on Max:0.1ohm; SMD Marking:6A8; Temperature, Current:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Rds Measurement:10V; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs th Min:1V
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation1.7 W
Rise Time2.1 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time12.3 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns