Diodes Inc. ZXMN6A07FTA
$ 0.245
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 87K2357 | 63.721 | 1 | 1d | ||||||||
| Newark | ZXMN6A07FTA | 532.011 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXMN6A07FTA | 6000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN6A07FTA | 250 | 250 | |||||||||
| Future Electronics | ZXMN6A07FTA | 45.000 | 3K | Tape & Reel |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMN6A07FTA suministradas por sus distribuidores.
ZXMN6A07F Series 60 V 0.25 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Surface Mount
60 V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:8
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Current Rating1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance166 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation806 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation625 mW
Rds On Max250 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time1.4 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time4.9 ns
Turn-On Delay Time1.8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento