Diodes Inc. ZXMN4A06KTC
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Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. ZXMN4A06KTC.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMP4051LK3-13
P Channel 40 V 51 mO 8.9 W 14 nC Surface Mount Power MosFet - TO-252 (DPAK)
Diodes Inc.DMN4036LK3-13
Mosfet, N-Ch, 40V, 8.5A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4036LK3-13
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMN4A06KTC suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 40 V 0.05 Ohm Power MOSFET Surface Mount - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 40V 10.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 40V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +52.68%
Modelos CAD
0 models available
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.9 A
Current Rating10.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance827 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.15 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation9.5 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance50 mΩ
Rise Time3.8 ns
Turn-Off Delay Time23.3 ns
Turn-On Delay Time3.2 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. ZXMN4A06KTC.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento