Diodes Inc. ZXMN10A11GTA
$ 0.334
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | ZXMN10A11GTA | 303 | 1 | 16h | ||||||||
| DigiKey | ZXMN10A11GCT-ND | 474 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXMN10A11GTA | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXMN10A11GTA | 0 | 1K | 3d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMN10A11GTA | 0 | 5 | Bulk | 19h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonBSP372NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.8 A, 230 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMN10A11GTA suministradas por sus distribuidores.
ZXMN10A11G Series 100 V 0.35 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -SOT-223
Mosfet Bvdss: 61V~100V Sot223 T&r 1K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN10A11GTA
Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.9 A
Current Rating1 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance274 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max350 mΩ
Resistance350 mΩ
Rise Time1.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time7.4 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento