Diodes Inc. ZXMC10A816N8TC
$ 0.499
NRND
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMC10A816N8TC | 227 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXMC10A816N8TC | 7500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMC10A816N8TC | 5000 | 168 | |||||||||
| DigiKey | ZXMC10A816N8DICT-ND | 1427 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMC10A816N8TC | 0 | 1 | 12h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -54.18%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. ZXMC10A816N8TC.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-29
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Componentes relacionados
VishaySI4102DY-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R / MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
InfineonIRF7473PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 22Milliohms;ID 6.9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMC10A816N8TC suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N & P-Ch, 2.1A, 100V, 150Deg C Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMC10A816N8TC
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1.3 W
100 V SO8 COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.23ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -54.18%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance230 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance497 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max230 mΩ
Rise Time5.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time4.3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento