Diodes Inc. ZX5T3ZTA
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Diodes Inc.ZXTP2008ZTA
ZXTP2008Z Series 30 V 5.5 A PNP Low Saturation Medium Power Transistor - SOT-89
ROHM2SB1132T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1132T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZX5T3ZTA suministradas por sus distribuidores.
40V 3W 200@0.5A,2V 5.5A PNP SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
ZX5T3Z Series PNP 5.5 A 40 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
185mV@ 550mA,5.5A PNP 3W 7.5V 20nA 50V 40V 5.5A SOT-89-3 1.6mm
Trans, Pnp, 40V, 5.5A, 150Deg C, 3W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZX5T3ZTA
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage185 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current-5.5 A
Current Rating-5.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7.5 V
Frequency152 MHz
Gain Bandwidth Product152 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current5.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency152 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento