Diodes Inc. ZVP2110A
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZVN4210ASTZ
ZVN4210A Series 100 V 1.5 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET TO-92
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZVP2110A suministradas por sus distribuidores.
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.23A; 0.7W; TO92
P-Channel 100 V 8 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET - TO-92
MOSFET, P, E-LINE; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:230mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3.5V; Power Dissipation Pd:700mW; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:230mA; Current Temperature:25°C; Device Marking:ZVP2110A; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:1.27mm; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Pd:700mW; Power Dissipation Ptot Max:700mW; Pulse Current Idm:3A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:-3.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)230 mA
Current Rating-230 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance8 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance100 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation700 mW
Rds On Max8 Ω
Resistance8 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-3.5 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento