Diodes Inc. ZVN4310A
$ 0.756
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZVN4310A suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 100 V 0.5 Ohm Enhancement Mode Vertical DMOS FET-TO-92
Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A Automotive 3-Pin E-Line
N-CH-FET 0,9A 100V TO92E-LINE RoHSconf
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=100 V, 900 mA, E-Line, , 3
N Channel Mosfet, 100V, 900Ma To-92; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:900Ma; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZVN4310A
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +30.65%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Current Rating900 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation850 mW
Manufacturer Package IdentifierE-Line
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation850 mW
Rds On Max500 mΩ
Resistance500 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height6.51 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento