Diodes Inc. FCX688BTA
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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DIODES INC. 2DD2678-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
Diodes Inc.FCX1051ATA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
onsemi2SD1624S-TD-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP. ONSSPCDDENY1E7M;
onsemiFJC1963RTF
Trans GP BJT NPN 30V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. FCX688BTA suministradas por sus distribuidores.
FCX688B Series NPN 3 A 12 V SMT Silicon Power Switching Transistor - SOT-89
12V 2W 500@100mA,2V 3A NPN SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
400mV@ 50mA,4A NPN 2W 5V 100nA 12V 12V 3A SOT-89-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm
NPN TRANSISTOR 12V 3A 1W SOT89
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)12 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento