Diodes Inc. DXT2014P5-13
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Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DXT2014P5-13CT-ND | 9299 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DXT2014P5-13 | 0 | 1 | 8h | ||||||||
| Avnet | DXT2014P5-13 | 0 | 5K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DXT2014P5-13 | 0 | 5K | |||||||||
| Farnell | DXT2014P5-13 | 0 | 1 | Cut Tape | 19h |
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Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DXT2014P5-13 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252
DXT201 Series PNP 3.2 W 140 V 4 A Surface Mount Power Transistor - POWERDI-5
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A
Transistor, Pnp, -140V, -4A, 3.2W, Powerdi5
Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R
360mV@ 300mA,3A PNP 3.2W 7V 20nA 180V 140V 4A PDI-5 3.97mm*5.37mm*1.1mm
TRANS, PNP, 140V, 4A, POWERDI5; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-140V; Transition Frequency Typ ft:120MHz; Power Dissipation Pd:3.2W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:225; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerDI5; No. of Pins:3; Gain Bandwidth ft Typ:120MHz
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight95.991485 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage140 V
Collector Emitter Saturation Voltage-360 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)140 V
Continuous Collector Current-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min45
Max Breakdown Voltage140 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.2 W
Manufacturer Package IdentifierPOWERDI-5
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation3.2 W
Transition Frequency120 MHz
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento