Diodes Inc. DPLS350E-13
$ 0.159
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DPLS350EDICT-ND | 7500 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DPLS350E-13 | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| Avnet | DPLS350E-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Future Electronics | DPLS350E-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DPLS350E-13 | 0 | 250 | Bulk | 15h |
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 SnapEDA | Footprint | 3D | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DJT4030P-13
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DPLS350E-13 suministradas por sus distribuidores.
DPLS350E Series PNP 1 W 50 V 3 A Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
300mV@ 200mA,2A PNP 1W 6V 100nA 60V 50V 3A SOT-223-3 6.7mm*3.7mm*1.65mm
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento