Diodes Inc. DMTH3004LPS-13
$ 0.538
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMTH3004LPS-13 | 0 | 2500 | 23h | ||||||||
| Avnet | DMTH3004LPS-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMTH3004LPS-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Win Source | WS-DMTH3004LPS-13 | 1110 | 75 | 10h | ||||||||
| Esaler Electronic | DMTH3004LPS-13 | 2500 | 23h |
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Diodes Inc. DMTH3004LPS-13.
Ficha técnica oficialHace 1 años
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Mosfet IC; Transistor Type:MOSFET; Package/Case:3-TO-251; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMTH3004LPS-13 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.8 mΩ
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Ficha técnica oficialHace 1 años