Diodes Inc. DMP3030SN-7
$ 0.161
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMP3030SN-7 | 3000 | 3K | 20h | ||||||||
| Future Electronics | DMP3030SN-7 | 219.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMP3030SNDICT-ND | 91 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP3030SN-7 | 2090 | 1 | 16h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMP3030SN-7 | 0 | 25 | Bulk | 7h |
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VISHAY SI1028X-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 480 mA, 30 V, 0.54 ohm, 10 V, 1 V
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMP3030SN-7 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 700 mA, 250 Milliohms, SC-59, 3 Pins, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 30V 0.7A 3-Pin SC-59 T/R / MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
P-Channel 20 V 250 mOhm Enhancement Mode Field Effect Transistor -SC59
Transistor - FET P-Channel 30V 700mA
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 30V 3.10 x 1.70mm SMT SC59 700mA P-Channel
DiodesZetex PMOS, Vds=30 V, 700 mA, SOT-346, , 3
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance160 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max250 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant