Diodes Inc. DMP10H400SE-13
$ 0.338
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMP10H400SE-13 | 2500 | 2500 | 3h | ||||||||
| Newark | DMP10H400SE-13 | 2106 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Rutronik | TMOS1492 | 2500 | 2500 | 8h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP10H400SE-13 | 27.500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMP10H400SE-13 | 5000 | 2500 |
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| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 / N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMP10H400SE-13 suministradas por sus distribuidores.
DMP10H400SE Series 100 V 2.3 A P Channel Enhancement Mode Mosfet-SOT-223
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
MOSFETs 100V 6.50 x 3.50mm SMT SOT223 6A P-Channel
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CH -100V -2,3A 250mOhm SOT223
MOSFET, P-CH, -100V, -6A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.203ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.2V
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.239 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max250 mΩ
Schedule B8541290080
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