Diodes Inc. DMNH6021SK3Q-13
$ 0.398
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMNH6021SK3Q-13 | 662 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMNH6021SK3Q-13DICT-ND | 3012 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMNH6021SK3Q-13 | 0 | 2500 | 17h | ||||||||
| Avnet | DMNH6021SK3Q-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMNH6021SK3Q-13 | 0 | 2500 |
Historial de existencias
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Componentes relacionados
Diodes Inc.DMC3021LK4-13
Mosfet, Dual, N/P-Ch, 30V, 14A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC3021LK4-13
Diodes Inc.DMC4029SK4-13
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel/P-Channel 40V 11.8A/8.6A 4-Pin TO-252 T/R
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMNH6021SK3Q-13 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMNH6021SK3Q-13
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
2.1W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 20.1nC@ 10 V 1N 60V 23m¦¸@ 12A,10V 50A 1.143nF@25V TO-252-3
60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R 2.5K
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-252;
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-5
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance1.143 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max23 mΩ
Fichas técnicas y documentos
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