Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13
$ 0.775
Production
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | 22h | ||||||||
| Avnet | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMNH10H028SK3-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Mouser | 621-DMNH10H028SK3-13 | 2465 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | DMNH10H028SK3-13 | 58.502 | 6d |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIPD122N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD60N10S412ATMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
InfineonIRFR2407TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 0.0218Ohm;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
STMicroelectronicsSTD47N10F7AG
Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMNH10H028SK3-13 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 100V 55A TO252 / N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
2W(Ta) 20V 3.3V@ 250¦ÌA 36nC@ 10 V 1N 100V 28m¦¸@ 20A,10V 55A 2.245nF@50V TO-252-3 6.58mm*6.1mm*2.29mm
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance2.245 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max28 mΩ
Fichas técnicas y documentos
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