Diodes Inc. DMN63D8L-7
$ 0.055
Production
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN63D8L-7 | 1463 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN63D8L-7DICT-ND | 418 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN63D8L-7 | 72.000 | 2K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN63D8L-7 | 78 | 78 | |||||||||
| TME | DMN63D8L-7 | 0 | 1 | 14h |
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DMN Series 60 V 2 Ohm 540 mW SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
InfineonBSS138NH6433XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 230 mA, 3.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN63D8L-7 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.35A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 / N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
30V 350mA 350mW 2.8Ω@10V,250mA 1.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
N-Channel 30 V 350mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)350 mA
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance23.2 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation520 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max2.8 Ω
Schedule B8541210080
Fichas técnicas y documentos
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