Diodes Inc. DMN6040SVT-7
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMP2035UVT-7
P-Channel 20 V 35 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TSOT26-6
Diodes Inc.DMG6601LVT-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN6040SVT-7 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 60 V 44 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TSOT26-6
Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A
60V 5A 44mΩ@10V,4.3A 1.2W N Channel SOT-26 MOSFETs ROHS
1.2W(Ta) 20V 3V@ 250µA 22.4nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 44mΩ@ 4.3A,10V 5A 1.287nF@25V TSOT-26 SMD mount 2.9mm*1.6mm*1mm
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTSOT
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance44 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.287 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max44 mΩ
Rise Time8.1 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20.1 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento