Diodes Inc. DMN3007LSS-13
$ 0.294
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN3007LSS-13 | 0 | 1 | 6h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN3007LSS-13 | 0 | 50 | Bulk | 5h | |||||||
| Avnet | DMN3007LSS-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Win Source | WS-DMN3007LSS-13 | 37.000 | 180 | 17h | ||||||||
| ICPartonline | DMN3007LSS-13 | 14.943 | >1wk |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMG4413LSS-13
Mosfet, P-Ch, 30V, 12A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4413LSS-13
Diodes Inc.DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN3007LSS-13 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SOP T/R
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET SOP8
Field Effect Tube (MOSFET)
new, original packaged
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.995985 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time43.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.714 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max7 mΩ
Resistance7 MΩ
Rise Time14.8 ns
Turn-Off Delay Time85.1 ns
Turn-On Delay Time10.3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento