Diodes Inc. DMN2990UFA-7B
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Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMN2990UFA-7BDICT-ND | 128.700 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2990UFA-7B | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| Newark | DMN2990UFA-7B | 0 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN2990UFA-7B | 0 | 25 | Bulk | 2h | |||||||
| Avnet | DMN2990UFA-7B | 0 | 10K | 1d |
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Mosfet, P-Ch, 20V, 0.7A, X2-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP21D5UFB4-7B
Diodes Inc.DMN21D2UFB-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.76A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN21D2UFB-7B
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN2990UFA-7B suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.51A, X2-Dfn0806 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFA-7B
Single N-Channel 20 V 2.4 Ohm 0.5 nC 400 mW Silicon SMT Mosfet - XFDFN-3
Trans MOSFET N-CH 20V 0.51A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.38A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 0.51A, X2-DFN0806;
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 8±V VGS
Diodes Inc SCT
400mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 0.5nC@ 4.5 V 1N 20V 990m¦¸@ 100mA,4.5V 510mA 27.6pF@16V SOT-963 800¦Ìm*600¦Ìm*390¦Ìm
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)380 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance990 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance27.6 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max990 mΩ
Rise Time3.3 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height350 µm
Length650 µm
Width850 µm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento