Diodes Inc. DMN2050LFDB-7
$ 0.19
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN2050LFDB-7 | 4 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2050LFDB-7 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Avnet | DMN2050LFDB-7 | 0 | 3K | 8h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN2050LFDB-7 | 0 | 3K | |||||||||
| element14 APAC | DMN2050LFDB-7 | 4 | 5 | Cut Tape | 1h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -21.77%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMP2066UFDE-7
Mosfet, P-Ch, 20V, 6.2A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066UFDE-7
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN2050LFDB-7 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.5A 6-Pin uDFN2020 T/R
Mosfet, Dual, N-Ch, 20V, 4.5A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2050LFDB-7
DMN Series 12 V 55 mOhm SMT Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet - U-DFN-2020-6
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 4.5A;
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance389 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.42 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation730 mW
Rds On Max45 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height605 µm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant