Diodes Inc. DMN2050L-7
$ 0.161
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | DMN2050L-7 | 6000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN2050L-7 | 6000 | 429 | |||||||||
| Future Electronics | DMN2050L-7 | 9000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMN2050LDICT-ND | 11.909 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2050L-7 | 0 | 1 | 13h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -72.86%
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VishaySI2301CDS-T1-E3
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN2050L-7 suministradas por sus distribuidores.
DMN2050L Series 20 V 29 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Mosfet Bvdss: 8V~24V Sot23 T&R 3K Rohs Compliant: Yes
DiodesZetex NMOS, Vds=20 V, 5.9 A, SOT-23, , 3
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 20V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -72.86%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance532 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max29 mΩ
Resistance29 MΩ
Schedule B8541290080
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento