Diodes Inc. DMN10H170SVT-7
$ 0.256
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN10H170SVT-7 | 1326 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN10H170SVT-7DICT-ND | 3997 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN10H170SVT-7 | 0 | 1 | 3h | ||||||||
| Avnet | DMN10H170SVT-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN10H170SVT-7 | 0 | 3K |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -6.05%
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N-Channel 30 V 0.12 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Diodes Inc.ZXMN10B08E6TA
ZXMN10B Series 100 V 0.23 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMN10H170SVT-7 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 100V, 2.6A, Tsot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H170SVT-7
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
N-Channel 100 V 2.6 A 160 mOhm 1.2 W SMT Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 2.6A Ta 2.6A 1.2W Ta 100V
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
MOSFET BVDSS: 61V~100V TSOT26 T&R 3K
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.167 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max160 mΩ
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