Diodes Inc. DMG6402LDM-7
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NRND
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMG6402LDM-7 | 6000 | 3K | 10h | ||||||||
| Newark | DMG6402LDM-7 | 500 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMG6402LDM-7DICT-ND | 13.054 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMG6402LDM-7 | 9000 | 3K | |||||||||
| TME | DMG6402LDM-7 | 0 | 1 | 6h |
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Mosfet, N-Ch, 30V, 4A, Sot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3051LDM-7
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P-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
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Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R / MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMG6402LDM-7 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 30 V 27 mOhm 1.12 W SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-26
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CH MOS-FET 5,3A 30V SOT26 RoHSconf
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 5.3 A, SOT-26, , 6
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:5.3A; On Resistance Rds(On):0.027Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V Rohs Compliant: No
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-26
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.84 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance404 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.12 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.12 W
Rds On Max27 mΩ
Rise Time6.18 ns
Turn-Off Delay Time13.92 ns
Turn-On Delay Time3.41 ns
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant