Diodes Inc. DMG3415U-7
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NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | DMG3415U-7 | 93.000 | 3K | |||||||||
| Verical | DMG3415U-7 | 93.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | DMG3415UDICT-ND | 1364 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMG3415U-7 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Future Electronics | DMG3415U-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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VISHAY SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMG3415U-7 suministradas por sus distribuidores.
P-Channel 20 V 42.5 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A, 0.0425 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 0.9 W
MOSFET,P CH,20V,4A,SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -4A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -550mV; Powe
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance42.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time393 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance294 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-550 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation900 mW
Rds On Max39 mΩ
Resistance42.5 mΩ
Rise Time117 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-550 mV
Turn-Off Delay Time795 ns
Turn-On Delay Time71 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento