Diodes Inc. DDTC114ELP-7
$ 0.153
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DDTC114ELP-7 | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Avnet | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | 19h | ||||||||
| Future Electronics | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | DDTC114ELP-7 | 0 | 3K | |||||||||
| Mouser | 621-DDTC114ELP-7 | 13 | 1 | Tape & Reel |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DDTC114ELP-7 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DDTC114ELP Series 50 V 50 mA 250 mW NPN Small Signal Transistor - DFN-3
Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 250mW 3-Pin DFN T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased 250mW Single (R1/R2)
NPN, 50V, 0.1A, DFN1006-3, 250mW
Diodes Inc SCT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
NPN DIGIT.TRS.10K/10K DFN1006-3
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current50 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min90
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height470 µm
Length1 mm
Width600 µm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento