Diodes Inc. BST52TA
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
ROHM2SD1834T100
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Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. BST52TA suministradas por sus distribuidores.
BST52 Series 80 V 500 mA NPN Silicon Planar Darlington Transistor - SOT-89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Darlington NPN 80V 0.5A 4-Pin (3+Tab) SOT-89 T/R
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:2000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Av Current Ic:500mA; Collector Emitter Voltage Vces:1.3V; Continuous Collector Current Ic Max:500mA; Current Ic @ Vce Sat:500mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:500mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:2000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:1.5A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:90V
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)90 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min2000
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento