Diodes Inc. BSS123W-7-F
$ 0.119
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BSS123W-7-F | 215 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BSS123W-7-F | 3209 | 1 | 22h | ||||||||
| Conrad | 2206344 | 2910 | 6h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | BSS123W-7-F | 0 | 100 | Bulk | 14h | |||||||
| Future Electronics | BSS123W-7-F | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. BSS123W-7-F suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 100V, 0.17A, Sot-323 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BSS123W-7-F
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R / MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 100V, 0.17A, SOT-323; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.4V; P
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)170 mA
Current Rating170 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance60 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation200 mW
Rds On Max6 Ω
Resistance6 Ω
Rise Time8 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento