Diodes Inc. BC847PN-7-F
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Diodes Inc.BC847BS-7-F
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 210mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT363
onsemiSBC847CDW1T1G
ON SEMI SBC847CDW1T1G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 6-PIN SOT-363
Diodes Inc.BC857BS-13-F
Bipolar Array, Dual Pnp, 45V/0.1A/Sot363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BC857BS-13-F
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. BC847PN-7-F suministradas por sus distribuidores.
BC847PN Series NPN/PNP 45 V 200 mW Small Signal Transistor Surface Mount-SOT-363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOIC16<AZ
Transistor NPN/PNP 0.1A 45V 200hfeSOT363
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
DiodesZetex NPN/PNP, SOT-363 (SC-88), , 100 mA, -45 V
TRANSISTOR, NPN, SOT363; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:290hFE; Transist
TRANSISTOR, NPN, 45V, -100mA, 200mW, SOT-363; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:45V; Collector Emitter Voltage Max PNP:45V; Continuous Collector Current NPN:100mA; Continuous Collector Current PNP:100mA RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento