Diodes Inc. 2DD2656-7
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2023-02-22
LTD Date2023-02-22
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onsemiFJX2222ATF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. 2DD2656-7 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2DD2 Series NPN 300 mW 30 V 1 A Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-323
Bipolar Transistors - BJT LOW VSAT NPN SMT 3K
TRANSISTOR, NPN, SOT323, 0.3W; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 270MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC C; Available until stocks are exhausted Alternative available
Transistor, Npn, 30V, 500Ma, 300Mw, Sot-323; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:30V; Frecuencia De Transición Ft:270Mhz; Disipación De Potencia Pd:300Mw; Corriente De Colector Dc:500Ma; Núm. De Contactos:3 |Diodes Inc. 2DD2656-7
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.13%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency270 MHz
Gain Bandwidth Product270 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency270 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency270 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.15 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento