Diodes Inc. 2DD1766R-13
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| element14 APAC | 2DD1766R-13 | 0 | 5 | Cut Tape | 4h | |||||||
| Farnell | 2DD1766R-13 | 0 | 5 | Cut Tape | 14h | |||||||
| Microchip USA | 2DD1766R-13 | 275 | 3500 | Tray | 1d | |||||||
| Component Stockers USA | 2DD1766R-13 | 304 | 3d | |||||||||
| Win Source | WS-2DD1766R-13 | 12.500 | 3 | 15h |
Fichas técnicas y documentos
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onsemiKSD1621TTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 500mW 150MHz
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. 2DD1766R-13 suministradas por sus distribuidores.
Trans GP BJT NPN 32V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 32V 2A SOT89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.002A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN 32 V 2 A 1 W Surface Mount Transistor - SOT-89-3L
TRANS, NPN, 32V, 2A, 150DEG C, 1W; Available until stocks are exhausted Alternative available
Trans, Npn, 32V, 2A, 150Deg C, 1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. 2DD1766R-13
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency220 MHz
Gain Bandwidth Product220 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current2 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency220 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento