Diodes Inc. 2DB1694-7
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-03-15
LTD Date2021-03-15
Componentes relacionados
Diodes Inc.DSS5160U-7
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. 2DB1694-7 suministradas por sus distribuidores.
DIODES INC. 2DB1694-7 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 30V 1A 500mW 3-Pin SOT-323 T/R
LOW VCE(SAT) PNP TRANSISTOR SOT-323
TRANSISTOR, PNP, SOT323, 0.3W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ ft:300MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:270; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; Collector Emitter Voltage Vces:380mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:270; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-380 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.15 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento