Alliance Memory AS6C2016-55BIN
$ 4.762
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | AS6C2016-55BIN | 0 | 480 | |||||||||
| Avnet | AS6C2016-55BIN | 0 | 480 | 16h | ||||||||
| Microchip USA | AS6C2016-55BIN | 1877 | 600 | Tray | 4d | |||||||
| Component Stockers USA | AS6C2016-55BIN | 2008 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-AS6C2016-55BIN | 1990 | 3 | 15h |
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Cadena de suministros
Country of OriginTaiwan
Export Control Classification Number (ECCN) Code3A991.b.2.a
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.32.00.41
Introduction Date2008-01-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de Alliance Memory AS6C2016-55BIN suministradas por sus distribuidores.
SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48-Pin TFBGA
SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mbit Parallel 55 ns 48-TFBGA (6x8)
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IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
Alias de fabricantes
Alliance Memory tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Alliance Memory también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Alliance Memory Inc
- Alliance
- ALLIED-SIGNAL INC
- ALLIANCE MEMORY Datasheet
- ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
- Alliance Memory Semiconductor
- Aliance Memory
- Alliance Memory Inc
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTFBGA
Number of Pins48
Number of Terminals48
Technical
Access Time55 ns
Address Bus Width17 b
Density2 Mb
InterfaceParallel
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Current60 mA
Max Supply Voltage5.5 V
Memory Size256 kB
Memory TypeRAM, SDR, SRAM - Asynchronous
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage2.7 V
Number of Circuits1
Number of Ports1
Operating Supply Voltage3 V
Temperature GradeIndustrial
Dimensions
Height - Seated (Max)1.2 mm
Length8 mm
Terminal Pitch750 µm
Width6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant