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ATI ACCURATE TECHNOLOGY

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Silicon Controlled Rectifier, 260A I(T)RMS, 162mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
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IGBT, 7 PACK MOD, 1200V, 75A, P610; DC Collector Current: 75A; Collector Emitter Voltage Vces: 2.6V; Power...
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel