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ATI ACCURATE TECHNOLOGY

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Resultados: 2148
IGBT-MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 500A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
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Modelos CAD
THYRISTOR/DIODE MODULE, 503A, 1.6KV; Available until stocks are exhausted
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Infineon
FP15R12YT3
$ 79,480
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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Silicon Controlled Rectifier, 70A I(T)RMS, 70mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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