• Piezas electrónicas
• Semiconductores discretos
• Transistores
• MOSFET
• VBsemi FDB3502-VB

Ficha técnica FDB3502-VB de VBsemi

N—channelchannel, 100V, 20A, Rds(on), 100MΩ@10V, 106MΩ@4.5V, 20VGS(±V)；1.7VTH(V) ENCAPSULATION：TO263