Vishay TCST2202
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay TCST2202, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TCST2202 THROUGH HOLE SLOTTED OPTICAL SWITCH, PHOTOTRANSISTOR OUTPUT
Photointerrupter Transmissive 3.1mm Phototransistor 4-Pin Tube
SENSOR TRANS. 2FLAGS, 0,5MM APERTURE-e4
TRANSMISSIVE OPTICAL SENSOR WITH PHOTOTRANSISTOR OUTPUT Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.1mm Slot Width
Vishay , 1, , 24.5 x 6.3 x 10.8mm
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSR OPTO SLOT 3.1MM TRANS THRU
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter; No. of Channels:2; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current Max:20mA; Output Voltage Max:70V; Package/Case:Thru Hole; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOP
Contact PlatingSilver
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage70 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V
Current Transfer Ratio10 %
Dark Current100 nA
Fall Time8 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.25 V
Input Current60 mA
Isolation Voltage3750 Vrms
Max Breakdown Voltage70 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage70 V
Power Dissipation250 mW
Response Time8 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time10 µs
Sensing Distance3.0988 mm
Voltage Rating (DC)1.25 V
Wavelength950 nm
Dimensions
Height10.8 mm
Length24.5 mm
Width6.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen