Vishay SQM100N04-2M7_GE3
$ 1.36
Production
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SQM100N04-2M7_GE3CT-ND | 800 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SQM100N04-2M7-GE3 | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| Future Electronics | SQM100N04-2M7_GE3 | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SQM100N04-2M7_GE3 | 0 | 800 | 2d | ||||||||
| TTI Europe | SQM100N04-2M7/GE3 | 0 | 800 | Tape & Reel | 20h |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SQM100N04-2M7_GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
157W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 145nC@ 10 V 1N 40V 2.7m¦¸@ 30A,10V 100A 7.91nF@25V TO-263 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.946308 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.91 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation157 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2.7 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time14 ns
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